在國際金融危機(jī)和“硅周期”的雙重打擊下，中國集成電路制造業(yè)在2008年出現(xiàn)了多年來的首次負(fù)增長。在前所未有的困難局面下，中國集成電路芯片制造業(yè)要保增長、求發(fā)展，堅(jiān)持技術(shù)創(chuàng)新是必然選擇。
依靠新工藝降低成本
2008年，中國集成電路芯片制造業(yè)產(chǎn)業(yè)規(guī)模比上年下滑1.3%，其衰退幅度甚至大于中國集成電路產(chǎn)業(yè)整體下滑的幅度。從往年的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)可以看到，2007年中國集成電路芯片制造業(yè)的增幅為23%，2006年增幅為32.5%，巨大的反差已足以說明芯片制造業(yè)所面臨的困難有多大。
與2001年因網(wǎng)絡(luò)泡沫破裂而導(dǎo)致的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)急劇下滑相比，2008年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的衰退幅度雖然不像當(dāng)年那樣大，但其波及的產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域更廣，并且持續(xù)的時(shí)間還難以預(yù)測。和艦科技(蘇州)有限公司副總裁張懷竹在接受《中國電子報(bào)》記者采訪時(shí)表示，和艦科技秉承的策略是審慎利用手頭現(xiàn)金，以非最先進(jìn)制程作為基本工藝平臺，使設(shè)備的投資應(yīng)用效果最大化，不盲目追求工藝技術(shù)的競賽；同時(shí)，也積極尋找合適的策略合作伙伴，投資環(huán)保節(jié)能產(chǎn)業(yè)，如政策大力支持的太陽能和LED綠色照明產(chǎn)業(yè)。
中國的集成電路制造業(yè)是從2000年左右開始加速發(fā)展的，有很多企業(yè)并沒有經(jīng)受過2001年大幅衰退的洗禮，中國企業(yè)還需要在逆境中學(xué)習(xí)，讓自己更堅(jiān)韌、更鋒利。所謂更堅(jiān)韌，就是要降低運(yùn)營成本，增強(qiáng)企業(yè)的生存能力；所謂更鋒利，就是要提升企業(yè)的技術(shù)水平和市場競爭力。以上兩者都離不開自主創(chuàng)新，技術(shù)水平的提升自不待言，即便是成本的降低，也不是僅僅依靠裁員就能實(shí)現(xiàn)的，而是需要優(yōu)化工藝技術(shù)，從而節(jié)省原材料、縮短生產(chǎn)周期。
在第三屆(2008年度)中國半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)評選中獲獎的“大屏幕LCD驅(qū)動電路模塊工藝”就是一個(gè)通過技術(shù)創(chuàng)新降低成本的實(shí)例。由上海華虹NEC電子有限公司推出的該工藝是我國第一個(gè)成功自主開發(fā)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的40V高壓驅(qū)動電路技術(shù)，其最引人注目的優(yōu)點(diǎn)是將同類器件通常所需的23層掩膜縮減為只需16層掩膜，這就意味著在生產(chǎn)工藝中減少了光刻次數(shù)，同時(shí)也減少了與光刻相關(guān)的一系列沉積、刻蝕、CMP（化學(xué)機(jī)械拋光）以及清洗的工序，因此，這項(xiàng)創(chuàng)新將極大地降低產(chǎn)品成本，同時(shí)提高終端產(chǎn)品的性價(jià)比。此外，工序的減少也會縮短產(chǎn)品的生產(chǎn)周期，加快產(chǎn)品上市的進(jìn)度，這也是其客戶最樂于看到的。
技術(shù)創(chuàng)新應(yīng)緊貼市場
技術(shù)創(chuàng)新不能脫離市場的需求，背離市場需求的創(chuàng)新很可能造成資源的浪費(fèi)。
中芯國際首席執(zhí)行官張汝京曾表示，目前中國的集成電路制造能力還相對較弱，尚不能滿足國內(nèi)總需求量的20%，中芯國際在致力于提升產(chǎn)能的同時(shí)，也通過與國內(nèi)的設(shè)計(jì)公司、科研機(jī)構(gòu)、大專院校及政府部門充分合作，提高企業(yè)的技術(shù)水平，以滿足市場需求。中芯國際已經(jīng)量產(chǎn)從0.35微米到90納米的邏輯產(chǎn)品(包括一般邏輯產(chǎn)品和低漏電、低電壓、高速邏輯產(chǎn)品)、數(shù)�；旌霞吧漕l產(chǎn)品，正在加速進(jìn)行65納米產(chǎn)品認(rèn)證和45納米產(chǎn)品研發(fā)。
目前，中國的半導(dǎo)體制造企業(yè)無論規(guī)模還是技術(shù)實(shí)力都很難與國際大廠進(jìn)行硬碰硬的競爭，因此，差異化的市場理應(yīng)成為國內(nèi)企業(yè)施展拳腳的空間。華虹NEC市場副總裁高峰在接受《中國電子報(bào)》記者采訪時(shí)表示：“針對具有成長潛力的市場領(lǐng)域，結(jié)合華虹NEC的技術(shù)優(yōu)勢所在，我們將持續(xù)加大對特色工藝的研發(fā)投入。華虹NEC在2008年成功開發(fā)并量產(chǎn)了0.13微米嵌入式閃存和0.35微米BCD工藝，并已啟動了0.25-0.18微米BCD、高壓功率MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)以及射頻等高端工藝項(xiàng)目。2009年，我們將進(jìn)一步完善嵌入式非易失性存儲器、模擬/電源管理技術(shù)平臺，同時(shí)提高分立器件制造技術(shù)，積極爭取更多的分立器件代工市場份額�！� |
